湖南三安半导体基地项目致力于建设具有自主知识产权的以碳化硅等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链研发制造基地，项目投产后其产品可广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、电源及电机等。
2021年6月，总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目投产。2022年7月，湖南三安半导体基地项目二期开建。
目前，三安在湖南长沙建设的碳化硅超级工厂，一期工程产能已达6吋碳化硅晶圆20万片/年，二期工程预计今年上半年贯通。二期达产后，项目合计满产6吋碳化硅晶圆36万片/年，8吋碳化硅晶圆48万片/年。
成立时间：2020年7月
总投资额：160亿元
占地面积：667,000平方米
综合产能：
一期6吋SiC晶圆产能达20万片/年
二期达产后，项目合计满产
6吋SiC晶圆36万片/年，8吋SiC晶圆48万片/年
