碳化硅MOSFET-三安半导体

简介

产品

碳化硅 MOSFET 是下一代能量转换系统的核心部件，实现了关键的系统优势，例如小型化、更轻的重量和更高的集成度。

湖南三安半导体整合全球科研智慧和本地大规模量产经验，进行碳化硅 MOSFET 技术研发，制造工艺的挑战，如低电阻欧姆接触、离子注入/退火中适当激活的掺杂剂以及优化的栅极氧化等都已得到解决。

通过自主掌握众多核心技术，湖南三安半导体的车规级 1200V/16mΩ 碳化硅 MOSFET 攻克了可靠性问题，并通过 AEC-Q101 认证，已在重点新能源汽车客户模块验证中；工规级 1700V/1Ω 和 1200V/32mΩ 碳化硅 MOSFET 已在光伏及充电桩领域小规模出货。

Part Number	Product Status	Type	Qualification	V_DS(max) (V)	I_D (A)	R_DS(on)@T_j=25℃(mΩ)	R_DS(on)@T_j=175℃(mΩ)	T_{j (max)}(℃)	Package
AMS1200075M2	Evaluation	SiC MOSFETs Bare die	Automotive	1200	35	68	115	175	Bare die
SMS1200075M2	Evaluation	SiC MOSFETs Bare die	Industry	1200	35	68	115	175	Bare die
SMS1200032M2	Evaluation	SiC MOSFETs Bare die	Industry	1200	77	28	45	175	Bare die
SMS1200020M2	Evaluation	SiC MOSFETs Bare die	Industry	1200	111	20	35	175	Bare die
AMS1200018B	Active	SiC MOSFETs Bare die	Automotive	1200	124	18	30	175	Bare die
AMS1200016B	Active	SiC MOSFETs Bare die	Automotive	1200	132	16	27	175	Bare die
SMS1701000K	Active	SiC MOSFETs Bare die	Industry	1700	6.8	700	1500	175	Bare die
SMS1701000K	Active	SiC MOSFETs Discrete device	Industry	1700	6.8	700	1500	175	TO247-3 L
AMS1200075M2	Evaluation	SiC MOSFETs Discrete device	Automotive	1200	35	68	115	175	TO247-4 L
SMS1200075M2	Evaluation	SiC MOSFETs Discrete device	Industry	1200	35	68	115	175	TO247-4 L
SMS1200032M2	Evaluation	SiC MOSFETs Discrete device	Industry	1200	77	28	45	175	TO247-4 L
SMS1200020M2	Evaluation	SiC MOSFETs Discrete device	Industry	1200	111	20	35	175	TO247-4 L